一、什么是氮化镓充电器
以下是氮化镓充电器的详细解释：
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，氮化镓（GaN）是第三代半导体材料之一。
与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。
GaN具有高禁带宽度、高饱和电子迁移速度、高热导率等特点，因此GaN比Si更适合做大功率高频的功率器件，具有体积小、易散热、损耗小、功率大等优点。应用在充电器上，可以极大的改善功率、体积和发热问题。
氮化镓充电器使用的组件比标准充电器更少，并且体积更小。得益于GaN拥有低损耗和高开关频率的特点，不仅发热更低，同时可以减小变压器和电容的体积。
在功率相同的情况下，GaN技术大幅缩小了充电器的体积。同样功率下，氮化镓充电器体积更小。
氮化镓不存在于自然界，只能在最先进的实验室中制成。氮化镓作为新型第三代化合物，合成环境要求很高，制造成本高成为氮化镓充电器主要缺点。
二、请教化学元素
1.GaAsP 磷砷化镓，可以做发光二极管的材料
2.GaP 磷化镓，人工合成的化合物半导体材料，橙红色透明晶体，多用于制造发光二极管
3.应该是GaAlln 铟化镓铝。
4.砷化镓铝，可做发光二极管的材料
以上均为镓的半导体材料，可做光电零件，多用于电子通信设备。
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三、化合物半导体的简介
semiconductorchemistry （compound semiconductor ）
研究半导体材料的制备、分析以及半导体器件和集成电路生产工艺中的特殊化学问题的化学分支学科。
通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体，即是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体。主要是二元化合物如：砷化镓、磷化铟、硫化镉、碲化铋、氧化亚铜等，其次是二元和多元化合物，如镓铝砷、铟镓砷磷、磷砷化镓、硒铟化铜及某些稀土化合物(如SeN、YN、La2S3等)。多采用布里奇曼法(由熔体生长单晶的一种方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法制备化合物半导体单晶，用外延法、化学气相沉积法等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。用于制备光电子器件、超高速微电子器件和微波器件等方面。
四、砷化铟的化学式是什么
中文名称：砷化铟[1]英文名称：indium arsenide英文别名：Indium arsenide; Indiam arsenide; Indium arsenide (InAs); Indium monoarsenide; arsanylidyneindium; arsenic(-3) anion; indium(+3) cation
砷化铟
CAS号：1303-11-3EINECS号：215-115-3分子式：AsIn分子量：189.7396砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。InAs相图如图所示。[2]InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法，单晶直径达φ50mm。InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In．As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm，室温电子迁移率3.3×10cm/(V·s)，空穴迁移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的有效分凝系数接近1，故用作n型掺杂剂，以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。
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